1-й Силикатный проезд на карте

Что нужно найти?

• Адреса и объекты
• Как добраться
• Недвижимость
• Вакансии

Любые адреса и объекты

• Услуги и организации
• Транспортные узлы
• Любые адреса и объекты

Любым транспортом

• Расчет маршрута метро
• Расписание электричек
• Любым транспортом

Снять

• Снять
• Купить

Квартиру

• Квартиру
• Комнату
• любой вариант

Квартиру

• Квартиру
• Комнату
• Апартаменты
• любой вариант

Кол-во комнат

• очистить
• 1х комнатные
• 2х комнатные
• 3х комнатные
• 4х комнатные
• 5 и более комнат

Москва

• Москва
• Московская обл.
• Любой регион

Любая сфера деятельности

• Любая сфера деятельности
• Банк, бухгалтерия, финансы
• Домашний персонал
• Информационные технологии
• Коммунальные услуги
• Красота, фитнес, спорт
• Маркетинг, реклама, PR
• Медицина
• Недвижимость
• Отели, рестораны, кафе, клубы
• Офисный персонал
• Охрана, силовые структуры
• Педагогика, образование
• Подработка, без опыта, студентам
• Производство, промышленность
• Руководители, топ-менеджмент
• Связь, телекоммуникации
• СМИ, полиграфия, дизайн
• Страхование
• Строительство и проектирование
• Торговля и снабжение
• Транспорт, автобизнес, автосервис
• Управление персоналом, HR
• Юриспруденция
• Другие сферы деятельности

Любой вид занятости

• Любой вид занятости
• постоянная занятость
• неполная занятость
• вторичная занятость

За последний месяц

• За последний месяц
• За две недели
• За неделю
• За три дня
• За всё время

Вся Москва>
Улицы Москвы>
Буква С>
1-й Силикатный, проезд

Основная информацияРасположение на картеСписок адресовИнфраструктура
Наверх

На странице представлены полные сведения о проезде 1-й Силикатный : расположение на карте, район, перекрестки, дома. Информация об  учреждениях и организациях, находящихся на этом проезде.

Проезд относится к району: Хорошево-Мневники (СЗАО)

Код КЛАДР: 77000000000264300

Почтовый индекс: 123007

1-й Силикатный проезд — на карте

Проложить маршрут

ОТСЮДА
СЮДА

Отмеченные дома (всего 80)

дом 6 строение 1

дом 6 строение 2

дом 8 строение 1

5

дом 8 строение 2

дом 8 строение 3

дом 8 строение 6

дом 8 строение 7

дом 8 строение 9

дом 8 строение 18

дом 9

дом 9 строение 2

дом 9 строение 3

дом 10

дом 10

дом 10 строение 1

дом 10 строение 2

дом 10 строение 3

дом 10 строение 4

дом 10 корпус 1

дом 10 корпус 2

дом 10 корпус 4

дом 10 корпус 6

дом 10 корпус 8

дом 10 корпус 9

дом 10 корпус 10

дом 10 корпус 11

дом 10 корпус 13

дом 10А

дом 11 строение 1

дом 11 строение 2

дом 11 строение 2

дом 11 строение 5

2

дом 11 строение 7

дом 11 строение 8

дом 11 корпус 2

дом 11А

дом 12

дом 12 корпус 1

дом 13

18

дом 13 строение 2

дом 13 строение 3

дом 13 строение 12

дом 13 строение 13

дом 13 строение 16

дом 13 строение 17

дом 13 строение 18

дом 13 строение 23

дом 13 строение 24

дом 13 строение 25

дом 13 строение 26

дом 13 строение 27

дом 13 строение 28

дом 13 строение 29

дом 13 строение 30

дом 13 строение 31

дом 13 строение 33

дом 13 строение 35

дом 13 строение 36

дом 13 строение 37

дом 13 строение 38

дом 13 строение 39

дом 13 строение 41

дом 13 строение 42

дом 14

11

дом 14 строение 1

дом 19/2

1

дом 19/2 строение 26

дом 19/2 строение 28

дом 19/2 строение 29

дом 25 строение 1

6

дом 25 строение 5

дом 25 строение 6

дом 25 строение 7

дом 25 строение 8

дом 27

дом 27 строение 2

дом 27 строение 4

дом 27 строение 5

дом 27 строение 6

дом 27 строение 9

Показать все

Инфраструктура

1Автозапчасти
1Автомойки
6Автосервис
1Аренда помещений
1Заправка картриджей
1Магазины одежды
1Общежития
1Продукты
1Фотостудии
1Ювелирные магазины

Оставить комментарий

Перекрестки с улицами (всего 7)

Звенигородское шоссе

7812567

1-я Магистральная ул.

116844616

3-я Магистральная ул.

3136

Причальный проезд

2122997

2-й Силикатный проезд

45742

Шелепихинское шоссе

2450926

Шеногина ул.

521534

Бизнес-центр «3-й Силикатный 4 к1»

6.5

рейтинг
бизнес-центра

посмотреть все фото

посмотреть видео

Адрес:

Москва, 3-й Силикатный проезд, 4 к1

Средняя ставка аренды

Декабрь 2022 г.

12 000 руб за кв.м в год

35 м²

ID: 200456

Аренда офиса 35 кв.м

Арендная плата — 35 000 ₽ в месяц

Дата 05.11.2020

+7 (495) 287-36-24

170 м²

ID: 193037

Аренда офиса 170 кв.м

Арендная плата — 170 000 ₽ в месяц

Дата 05. 11.2020

+7 (925) 359-74-03

250 м²

ID: 205329

Аренда офиса 250 кв.м

Арендная плата — 250 000 ₽ в месяц

Дата 05.11.2020

+7 (929) 904-47-78

400 м²

ID: 281699

Аренда офиса 400 кв.м

Арендная плата — 400 000 ₽ в месяц

Дата 05.11.2020

+7 (929) 502-39-40

588 м²

ID: 193134

Аренда офиса 588 кв.м

Арендная плата — 588 000 ₽ в месяц

Дата 22.12.2022

+7 (925) 359-77-98

788 м²

ID: 863302

Аренда офиса 788 кв.м

Арендная плата — 788 000 ₽ в месяц

Дата 22.12.2022

+7 (925) 359-77-98

1032 м²

ID: 193135

Аренда офиса 1032 кв. м

Арендная плата — 1 032 000 ₽ в месяц

Дата 22.12.2022

+7 (929) 516-23-92

1332 м²

ID: 193136

Аренда офиса 1332 кв.м

Арендная плата — 1 332 000 ₽ в месяц

Дата 22.12.2022

+7 (926) 001-12-67

В настоящий момент в Бизнес-центре “3-й Силикатный 4 к1” нет предложений по продаже офисов

Описание бизнес-центра «3-й Силикатный 4 к1»

Наличие поблизости от бизнес-центра «3-й Силикатный 4 к1» крупных городских магистралей (Проспект Маршала Жукова, Звенигородское шоссе) гарантирует, что у клиентов не будет проблем с тем, как добраться до офиса вашей компании.

Взяв в аренду помещение в объекте, относящимся к классу В, выможет рассчитывать на вполне приемлемый уровень безопасности и имеете возможность повысить его по своему усмотрению. Общая площадь арендных помещений бизнес-центра, включая зоны общего пользования и офисы, составляет 4300 кв. м. 5-этажный офисный центр – образец офисного центра оптимальной высоты, когда на верхние этажи можно подняться даже по лестнице. Проблема с парковкой автотранспорта в бизнес-центре «3-й Силикатный 4 к1» решена за счет открытой автостоянки с круглосуточной охраной.

В большинстве помещений объекта выполнены ремонтно-отделочные работы, но имеются и офисы в состоянии «shell&core» (без отделки). Для поддержания оптимального комфортного режима в помещениях бизнес-центра установлены локальные кондиционеры (сплит-системы).

Преимущества бизнес-центра

Офисный центр «3-й Силикатный 4 к1» располагает возможностью аренды парковочных мест

Влияние силикатной добавки на структурные и электрические свойства германиевых нанопроволок, образованных электрохимическим восстановлением из водных растворов

. 2022 авг 22;12(16):2884.

дои: 10. 3390/nano12162884.

Анна С Еремина
¹
, Илья М Гаврилин
²
, Николай С Покрышкин
¹

3
, Александр Ю Харин
¹
, Александр В Сюй
⁴
, Валентин С Волков
⁴
, Якунин Валерий Г
³
, Сергей Бубенов
⁵
, Дорофеев Сергей Г
⁵
, Сергей Гаврилов
⁶
, Виктор Ю. Тимошенко
¹

3

Принадлежности

• ¹ Физико-биологический институт, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 115409 Москва, Россия.
• ² Институт физической химии и электрохимии им. Фрумкина РАН, 119071 Москва, Россия.
• ³ Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, 119234 Москва, Россия.
• ⁴ Центр фотоники и двумерных материалов Московского физико-технического института, 141700 Долгопрудный, Россия.
• ⁵ Химический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 119234 Москва, Россия.
• ⁶ Институт перспективных материалов и технологий Национального исследовательского университета электронной техники-МИЭТ, 124498 Зеленоград, Россия.

• PMID:

  36014749

• PMCID:

  PMC9415709

• DOI:

  10.3390/нано12162884

Бесплатная статья ЧВК

Анна С. Еремина и др.

Наноматериалы (Базель).

2022 .

Бесплатная статья ЧВК

. 2022 авг 22;12(16):2884.

дои: 10.3390/nano12162884.

Авторы

Анна С Еремина
¹
, Илья М Гаврилин
²
, Николай С Покрышкин
¹

3
, Александр Ю Харин
¹
, Александр В Сюй
⁴
, Валентин С Волков
⁴
, Якунин Валерий Г
³
, Сергей Бубенов
⁵
, Дорофеев Сергей Г
⁵
, Сергей Гаврилов
⁶
, Виктор Ю. Тимошенко
¹

3

Принадлежности

• ¹ Физико-биологический институт, Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», 115409 Москва, Россия.
• ² Институт физической химии и электрохимии им. Фрумкина РАН, 119071 Москва, Россия.
• ³ Физический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова, 119234 Москва, Россия.
• ⁴ Центр фотоники и двумерных материалов Московского физико-технического института, 141700 Долгопрудный, Россия.
• ⁵ Химический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, 119234 Москва, Россия.
• ⁶ Институт перспективных материалов и технологий Национального исследовательского университета электронной техники-МИЭТ, 124498 Зеленоград, Россия.

• PMID:

  36014749

• PMCID:

  PMC9415709

• DOI:

  10.3390/нано12162884

Абстрактный

Слои германиевых (Ge) нанопроволок (ННК) на титановых фольгах были выращены методом металлоактивированного электрохимического восстановления оксида германия в водных электролитах на основе оксида германия без и с добавлением силиката натрия. Структурные свойства и состав ННК Ge ​​изучались методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, рентгеновской дифракции и спектроскопии комбинационного рассеяния. При добавлении в электролит силиката натрия ННК Ge ​​состояли из 1-2 ат.% кремния (Si), имели меньший средний диаметр и улучшенную кристалличность. Дополнительно были приготовлены образцы пленок Ge ННК методом ультразвукового удаления ННК Ge ​​из титановых фольг с последующим переосаждением на корундовые подложки с платиновыми электродами. Исследована электропроводность пленок ННК Ge ​​при различных температурах от 25 до 300 °С и выявлено влияние примеси кремния на термоактивированную электропроводность. Кроме того, электропроводность пленок Ge NW на корундовых подложках проявляла сильную сенсорную реакцию на присутствие насыщенных паров различных жидкостей (вода, ацетон, этанол и изопропанол) в воздухе, и реакция зависела от присутствия примесей Si в воздухе. нанопроволоки. Полученные результаты указывают на возможность управления структурой и электрическими свойствами ННК Ge ​​путем введения силикатных добавок при их формировании, что представляет интерес для приложений в печатной электронике и молекулярной сенсорике.

Ключевые слова:

рамановская спектроскопия; электрическая проводимость; электроосаждение; газовая сенсорика; германий; нанопроволоки; кремний.

Заявление о конфликте интересов

Авторы заявляют об отсутствии конфликта интересов. Спонсоры не участвовали в разработке исследования; при сборе, анализе или интерпретации данных; при написании рукописи; или в решении опубликовать результаты.

Цифры

Рисунок 1

Изображения SEM: ( a )…

Рисунок 1

СЭМ-изображения: ( a ) Наночастицы индия, нанесенные на титановую фольгу; ( б…

фигура 1

СЭМ-изображений: ( a ) Наночастицы индия, нанесенные на титановую фольгу; ( b , c ) ННК Ge; ( d ) ННК Ge-Si (0,01 М Na ₂ SiO ₃ ).

Рисунок 2

Изображения ПЭМ: ( a )…

Рисунок 2

ПЭМ-изображения: ( a ) ННК Ge ​​и ( b ) ННК Ge-Si,…

фигура 2

ПЭМ-изображения: ( a ) ННК Ge ​​и ( b ) ННК Ge-Si, на вставках показаны соответствующие электронограммы; ПЭМ-картины высокого разрешения: ( c ) ННК Ge ​​и ( d ) ННК Ge-Si, где на вставках показаны соответствующие увеличенные области изображений, указывающие на межплоскостное расстояние между атомами.

Рисунок 3

Обзор спектров: ( a )…

Рисунок 3

Обзорные спектры: ( a ) ННК Ge; ( b ) ННК Ge-Si; (…

Рисунок 3

Обзорные спектры: ( a ) ННК Ge; ( b ) ННК Ge-Si; ( c ) ННК Ge-Si после 3 мин напыления; ( d ) Концентрационный профиль ННК Ge-Si.

Рисунок 4

Спектры XPS ННК Ge-Si…

Рисунок 4

РФЭС-спектры образцов ННК Ge-Si в следующих областях: ( a )…

Рисунок 4

РФЭС-спектров образцов ННК Ge-Si в следующих областях: ( a ) Ge3d; ( b ) Ge3d после 3 мин напыления; ( с ) In3d; ( d ) In3d после 3 мин напыления; ( и ) Si2p; ( f ) Si2p после 3-минутного напыления. Пунктирные линии указывают соответствующие энергии связи.

Рисунок 4

Спектры XPS ННК Ge-Si…

Рисунок 4

РФЭС-спектры образцов ННК Ge-Si в следующих областях: ( a )…

Рисунок 4

РФЭС-спектров образцов ННК Ge-Si в следующих областях: ( a ) Ge3d; ( b ) Ge3d после 3 мин напыления; ( с ) In3d; ( d ) In3d после 3-минутного напыления; ( и ) Si2p; ( f ) Si2p после 3-минутного напыления. Пунктирные линии указывают соответствующие энергии связи.

Рисунок 5

Угловые спектры РФА Ge…

Рисунок 5

Угловые спектры РСА для ННК Ge ​​(черная линия) и ННК Ge-Si (красная линия).…

Рисунок 5

Угловые спектры XRD

для ННК Ge ​​(черная линия) и ННК Ge-Si (красная линия). Вертикальные пунктирные линии указывают максимумы пиков кристаллического Ge, а пики подложки Ti отмечены как «Ti».

Рисунок 6

Угловые спектры РФА в областях…

Рисунок 6

Угловые спектры РФА в областях дифракции Ge (111) и Ge (220)…

Рисунок 6

Угловые спектры РСА

в областях дифракционных пиков Ge (111) и Ge (220) для ННК Ge ​​(черная линия), ННК Ge-Si (красная линия) и c-Ge (синяя линия).

Рисунок 7

Спектры комбинационного рассеяния: ННК Ge ​​(черный…

Рисунок 7

Спектры КР: ННК Ge ​​(черная линия), ННК Ge-Si 0.01 M Na ₂ SiO…

Рисунок 7

Спектры комбинационного рассеяния: ННК Ge ​​(черная линия), ННК Ge-Si 0,01 М Na ₂ SiO ₃ (синяя кривая) и ННК Ge-Si 0,02 М Na ₂ SiO ₃ (красная линия). На вставке показаны те же спектры в области однофононного рамановского пика для c-Ge, что показано вертикальной пунктирной линией.

Рисунок 8

РЭМ изображение корунда…

Рисунок 8

РЭМ-изображение корундового чипа с нанесенными ННК Ge ​​для измерения…

Рисунок 8

СЭМ-изображение корундовой стружки с нанесенными ННК Ge ​​для измерения их электрических свойств; на вставке показано увеличенное СЭМ-изображение ННК Ge ​​на поверхности чипа.

Рисунок 9

Изменения электропроводности…

Рисунок 9

Изменение электропроводности пленок ННК при нагреве в сверхвысоком вакууме…

Рисунок 9

Изменение электропроводности пленок ННК при нагреве в сверхвысоком вакууме и последующем охлаждении: ( a ) ННК Ge; ( b ) ННК Ge-Si.

Рисунок 10

Зависимость электрического…

от времени

Рисунок 10

Временная зависимость электропроводности ННК Ge-Si при нагреве при 350…

Рисунок 10

Временная зависимость электропроводности ННК Ge-Si при нагреве до 350 °С.

Рисунок 11

Температурные зависимости проводимости…

Рисунок 11

Температурные зависимости проводимости пленок ННК Ge ​​(черные квадраты) и…

Рисунок 11

Температурные зависимости проводимости пленок ННК Ge ​​(черные квадраты) и ННК Ge-Si (красные кружки) после частичного спекания.

Рисунок 12

Вольтамперные зависимости предварительно нагретых пленок:…

Рисунок 12

Вольт-амперные зависимости предварительно нагретых пленок: ( a ) Ge NWs, ( b )…

Рисунок 12

Вольт-амперные зависимости предварительно нагретых пленок: ( a ) Ge ННК, ( b ) Ge-Si ННК, в вакууме и на воздухе при комнатной температуре.

Рисунок 13

Сравнение вольтамперной зависимости…

Рисунок 13

Сравнение вольтамперной зависимости пленки из образца ННК Ge…

Рисунок 13

Сравнение вольтамперной зависимости пленки из образца ННК Ge, измеренной в вакууме (черные кружки), с аппроксимацией уравнением для тока, ограниченного объемным зарядом (красная линия).

Рисунок 14

Данные о свойствах датчика…

Рисунок 14

Данные о сенсорных свойствах Ge (черные столбцы) и Ge-Si (красные столбцы)…

Рисунок 14

Данные о сенсорных свойствах пленок Ge (черные столбцы) и Ge-Si (красные столбцы) ННК, измеренные как относительное изменение их электрического сопротивления на воздухе после пропускания насыщенных паров этанола, ацетона, изопропанола и воды.

См. это изображение и информацию об авторских правах в PMC

Похожие статьи

• Влияние введения эрбия на структуру и фотофизику кремний-германиевых нанопроволок.

  Ву Дж., Велигор М., Зерда Т.В., Коффер Дж.Л.
  Ву Дж и др.
  Наномасштаб. 2010 декабрь; 2(12):2657-67. doi: 10.1039/c0nr00476f. Epub 2010 8 октября.
  Наномасштаб. 2010.

  PMID: 20931125

• Электрические свойства и магнитный отклик нанопроволок германосилицида кобальта.

  Tsai CI, Wang CY, Tang J, Hung MH, Wang KL, Chen LJ.
  Цай С.И. и соавт.
  АКС Нано. 2011 г., 27 декабря; 5(12):9552-8. doi: 10.1021/nn202695a. Epub 2011 8 ноября.
  АКС Нано. 2011.

  PMID: 22067017

• Расположение легирующей примеси в кремниевых и германиевых нанопроволоках в зависимости от диаметра.

  Се П., Ху Ю., Фан Ю., Хуан Дж., Либер CM.
  Се П. и др.
  Proc Natl Acad Sci U S A. 2009 Sep 8;106(36):15254-8. doi: 10.1073/pnas.0906943106. Epub 2009 24 августа.
  Proc Natl Acad Sci U S A. 2009.

  PMID: 19706402
  Бесплатная статья ЧВК.

• Контроль образования без катализатора и накопления дырочного газа путем изготовления нанопроволок Si/Ge ядро-оболочка и Si/Ge/Si ядро-двойная оболочка.

  Чжан С., Джевасуван В., Сугимото Ю., Фуката Н.
  Чжан X и др.
  АКС Нано. 201926 ноября; 13 (11): 13403-13412. doi: 10.1021/acsnano.9b06821. Epub 2019 25 октября.
  АКС Нано. 2019.

  PMID: 31626528

• Обзор германиевых нанопроволок.

  Пей Л.З., Цай З.Ю.
  Пей Л.З. и др.
  Недавний Пэт Нанотехнолог. 2012 Январь; 6 (1): 44-59. дои: 10.2174/187221012798109291.
  Недавний Пэт Нанотехнолог. 2012.

  PMID: 22023079

  Рассмотрение.

Посмотреть все похожие статьи

использованная литература

1. 1. Claeys C., Simoen E. Технологии на основе германия от материалов до устройств. 1-е изд. Эльзевир; Нью-Йорк, штат Нью-Йорк, США: 2007. 480 стр.

2. 1. Тимеркаев Б.А., Калеева А.А., Тимеркаева Д.Б., Сайфутдинов А.И. Синтез германиевых нанотрубок в электродуговой плазме. Русь. Дж. Физ. хим. А. 2020;94: 613–617. дои: 10.1134/S0036024420020326.

      —

      DOI

3. 1. Ву С. , Хан С., Иокоцциа Дж., Лу М., Гэ Р., Сюй Р., Лин З. Наноматериалы на основе германия для аккумуляторных батарей. Ангью. хим. Междунар. Эд. 2016;55:7898. doi: 10.1002/anie.201509651.

      —

      DOI

      —

      пабмед

4. 1. Кеннеди Т., Брэндон М., Райан К.М. Достижения в применении кремниевых и германиевых нанопроводов для высокоэффективных литий-ионных аккумуляторов. Доп. Матер. 2016;28:5696. doi: 10.1002/adma.201503978.

      —

      DOI

      —

      пабмед

5. 1. Маллейн Э. , Кеннеди Т., Джини Х., Райан К.М. Быстрый протокол без растворителей для синтеза литий-ионных анодов из германиевых нанопроволок с длительным сроком службы и высокой производительностью. Приложение ACS Матер. Интерфейсы. 2014;6:18800. дои: 10.1021/am5045168.

      —

      DOI

      —

      пабмед

Грантовая поддержка

• ФСВО-2020-0035/Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
• 22-23-00540/Российский научный фонд
• 20-79-10312/Российский научный фонд
• 22-19-00094/Российский научный фонд

Кристаллохимия, свойства и синтез микропористых силикатов, содержащих переходные элементы

Никита В.
Чуканов* ^a

Игорь В.
Пеков ^б
и

Рамиса К.
Расцветаева ^с

Принадлежности автора

*

Соответствующие авторы

^и

Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Московская область, Российская Федерация, Черноголовка, Ногинский район, Московская область, Российская Федерация

Электронная почта:
chukanov@icp. ac.ru

^б

Кафедра геологии, М.В. Московский государственный университет имени Ломоносова, Москва, Российская Федерация, Воробьевы горы, Москва, Российская Федерация

^с

СРЕДНИЙ. Шубникова РАН, Москва, Российская Федерация, Ленинский просп. 59, Москва, Российская Федерация

Аннотация

В обзоре обобщены и обобщены современные данные по методам синтеза, физико-химическим свойствам и кристаллохимии силикатных микропористых материалов, содержащих переходные элементы (амфотеросиликаты).